فایل (word) بررسی تاثیر آلائیدگی آمونیاک بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم کربنی اشباع شده با استفاده از نظریهی تابعی چگالی

    —         —    

ارتباط با ما     —     لیست پایان‌نامه‌ها

... دانلود ...

بخشی از متن فایل (word) بررسی تاثیر آلائیدگی آمونیاک بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم کربنی اشباع شده با استفاده از نظریهی تابعی چگالی :


سال انتشار : 1395

نام کنفرانس یا همایش : سیزدهمین همایش علمی دانشجویی مهندسی مواد و متالورژی ایران

تعداد صفحات :9

چکیده مقاله:

در این پژوهش تاثیر آلائیدگی با مولکول آمونیاکNH3 بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم کربنی با ساختار الماسی اشباع شده با هیدروژن DNw:H بررسی شده است. این بررسی به روش نظریهی تابعی چگالی و حل معادلات بسذرهای کوهن-شم با رهیافت میدان خودسازگار SCF و تقریب چگالی موضعیLDA انجام شده است. مورفولوژی نانوسیم الماس از نوع استوانهای با قطر مقطع nm0/88 و جهتگیری رشد در جهت صفحهی ) 100 ( انتخاب شده است. نتایج محاسبات نشان میدهد گاف اپتیکی نانوسیم الماس اشباع شده با هیدروژن به علت بالابودن نسبت سطح به حجم و به وجود آمدن ترازهای سطحی میان گاف اپتیکی, به میزان 2/71 نسبت به گاف اپتیکی الماس حجیم کاهش یافته است. همچنین افزودن مولکول آمونیاک به یکی از اتمهای کربن سطح جانبی نانوسیم الماس اشباع شده با هیدروژن, منجر به رسانا ) شدن نانوسیم شده است. بعلاوه اثر افزایش مولکولهای آمونیاک بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس رشد یافته در جهت صفحهی ) 100 بررسی گردید. طی این بررسی مشخص شد گاف اپتیکی و چگالی حالات الکترونی نانوسیم با افزایش تعداد مولکولهای آمونیاک به میزان دو و سه برابر حالت اولیه )یک مولکول آلائی( کاهش مییابد, به گونهای که تغییرات گاف اپتیکی از مرتبه دهم الکترون ولت است. علت این امر افزایش اندازهی ابر سلول و به تبع آن افزایش اثر حصر کوانتومی است

لینک کمکی